ИТ-Технологии

Самсунг приступает к массовому производству SoC на техпроцессе 10-нм FinFET (10LPE)

Самсунг приступает к массовому производству SoC на техпроцессе 10-нм FinFET (10LPE)

Компания Самсунг объявила о том, что они начали массовое производство чипов по десяти нанометровой технологии производства, став первыми в ветви, кто это сделал. Благодаря производству самых маленьких материалов Самсунг выбился вперед, обойдя даже американскую компанию Intel, которая до этого момента считалась очевидным лидером в создании малюсеньких полупроводников. Кроме того, Intel хочет на 100% отказаться от кремния, который применяют для создания процессоров. Именно эти чипы, как ожидается, будут использоваться в следующих моделях телефонов и планшетов семейства Самсунг Galaxy.

По сравнения с процессом 14nm FinFET, который применяется на данный момент в производстве Snapdragon 820, новый процесс сделает чипсет Snapdragon 830 дешевле в производстве (не включая стоимость одноразового обновления оборудования, нужного для производства чипа).

По утверждению профильных профессионалов, начало индустриального производства транзисторов по 10-нанометровому техпроцессу на 100% укладывается в так называемый закон Мура. Закон, сформулированный в 1965 сооснователем Intel Гордоном Муром, гласит, что количество транзисторов, умещающихся на интегральной схеме, будет удваиваться каждые два года. Суть данного закона сводится к тому, что число транзисторов, способных уместиться на интегральной микросхеме, будет увеличиваться вдвое после каждых 2-х следующих лет. Дело в том, что производить транзисторы наименьшего размера с каждым годом становиться все труднее. Первые продукты, выпущенные по этим технологическим нормам, должны сойти с конвейера компании с начала 2016 года, а в перспективе TSMC рассчитывает контролировать до 70 процентов мирового рынка соответствующих услуг. Сейчас большинство актуальных на сегодняшний день чипов оборудованы транзисторами, выполненными по 20-нанометровому техпроцессу.